来源：快科技 2019/2/13浏览量：31056

据快科技报道，今年ASML将EUV光刻机的年出货量从18台预计上升到30台。 来自产业链的最新消息称，台积电将包揽ASML这批EUV光刻机中的18台，加上先前的几台，可以在今年3月份启动7nm EUV的量产，推动7nm在其2019年晶圆销售中的占比从去年的9%提升到25%。 目前基于台积电7nm制程的芯片例如苹果A12，华为麒麟980等都只是7nm DUV制程，而DUV技术显然已黔驴技穷，无法满足更加先进的制程工艺需求。而此次台积电猛抢...

来源：laoyaoba.com 2018/6/5浏览量：33336

今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺，第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺，二代7nm才会上EUV光刻工艺，预计明年量产。那么存储芯片行业何时会用上EUV工艺？在美光看来，EUV光刻工艺并不是DRAM芯片必须的，未来几年内都用不上，在新一代工艺上他们正在交由客户验证1Y nm内存芯片，未来还有1Z、1α及1β工艺。 3891_201806050613422lAwW.jpg 内存行业在未来几年都不需要EUV光刻机 内存跟CPU等芯片虽然都是集成电路，生产制造过程有相似之处，不过工艺并不相同，CPU逻辑工艺今年进入到了7nm节点，但内存主流的还是20nm、18nm工艺，其中18nm就属于1X nm节点（16-19nm之间），后面的1Y nm则是14-16nm之间，1Z大概是12到14nm。再之后，美光提出的是1α及1β工艺，具体对应xx nm就不明了。 三星是第一家量产18nm工艺，也就是第一个进入1X nm节点的，遥遥领先其他公司，美光现在也开始向1X nm工艺转进，下一代的1Y nm工艺已经进入客户验证阶段了，今年下半年问世，1Z nm工艺节点在处于工艺优化阶段，1α及1β工艺则是在不同研发阶段。 美光CEO Sanjay Mehrotra日前在参加伯恩斯坦年度战略决策会上回答了有关的工艺问题，在EUV光刻工艺上，他认为EUV光刻机在DRAM芯片制造上不是必须的，直到1α及1β工艺上都也不会用到它。

来源：laoyaoba.com 2018/5/14浏览量：30569

Intel 10nm工艺还在苦苦挣扎，台积电和三星已经开始量产7nm，下一步自然就是5nm，台积电近日也首次公开了5nm的部分关键指标，看起来不是很乐观。

来源：KLA-Tencor 2017/8/22浏览量：25567

KLA-Tencor公司宣布推出全新的FlashScanTM空白光罩*检测产品线。自从1978年公司推出第一台检测系统以来，KLA-Tencor一直是图案光罩检测的主要供应商，新的FlashScan产品线宣告公司进入专用空白光罩的检验市场。